מספר מוצר של יצרן:
TSM4ND60CI C0G
Product Overview
יצרן:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
TSM4ND60CI C0G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 4A ITO220
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 41.6W (Tc) Through Hole ITO-220
מלאי:
12898999
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TSM4ND60CI C0G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Taiwan Semiconductor
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.2Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.8V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
17.2 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
582 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
41.6W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
ITO-220
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
מספר מוצר בסיסי
TSM4ND60
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
1801-TSM4ND60CIC0G
TSM4ND60CI
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TSM2314CX RFG
MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23
TSM2307CX RFG
MOSFET P-CHANNEL 30V 3A SOT23
DMN6040SFDEQ-13
MOSFET N-CH 60V 5.3A 6UDFN
